参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	BSO211P H
说明	功率MOSFET   4.9mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5286 [库存更新时间：2024-06-01]
通道数量	2Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	4.6A
Rds On(Max)@Id,Vgs	54mΩ
栅极电压Vgs	12V
Qg-栅极电荷	-10nC,-10nC
配置	Dual
Pd-功率耗散(Max)	2W
高度	1.75mm
长度	4.9mm
系列	BSO211
FET类型	2P-Channel
宽度	3.9mm
正向跨导 - 最小值	8S,8S
下降时间	27ns,27ns
上升时间	13ns,13ns
典型关闭延迟时间	23ns,23ns
典型接通延迟时间	9ns,9ns
工作温度	-55°C~150°C